英特尔挤牙膏:下一代酷睿仍采用14nm工艺,称自家14nm等于三星10nm

本文摘要:(公众号:)消息:2月10日,英特尔在投资者会议上月公布了第8代酷睿处理器,将于今年下半年亮相。失望的是,第8代酷睿处理器并没使用传闻中的10nm工艺,而是依旧延用14nm工艺,英特尔称作“Advancing Moores Law on 14 nm”。 虽然使用的依然是杨家工艺,但是英特尔回应,第8代酷睿的性能将比Kaby Lake提高15%。据报,数据中心所用的Xeon高端多核处理器将首批用上下一代制程,也就是10nm。

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(公众号:)消息:2月10日,英特尔在投资者会议上月公布了第8代酷睿处理器,将于今年下半年亮相。失望的是,第8代酷睿处理器并没使用传闻中的10nm工艺,而是依旧延用14nm工艺,英特尔称作“Advancing Moores Law on 14 nm”。

虽然使用的依然是杨家工艺,但是英特尔回应,第8代酷睿的性能将比Kaby Lake提高15%。据报,数据中心所用的Xeon高端多核处理器将首批用上下一代制程,也就是10nm。另外在1月初的CES 2017上,CEO柯再奇曾回应,配备10nm芯片笔记本产品不会在今年底销售。虽然三星、台积电都早已研发出有10nm工艺,并且顺利量产。

但是英特尔回应自己的14nm工艺和竞争对手的10nm工艺某种程度杰出,领先输掉整整三年。根据英特尔在投资者会议上公开发表的PPT,其2014年研发出来的第一代14nm FinFET(即Broadwell所用)和三星以及台积电的10nm工艺相若。此外,根据英特尔高级院士Mark Bohr的众说纷纭,英特尔10nm工艺的栅极间距是54nm,是同时代10nm最弱。据报,Intel 10nm Cannon Lake的性能提高在50%以上。

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